Dedicated IC For Slotted Optical Switch
Dedicated IC For Slotted Optical Switch suppliers
Dedicated IC For Slotted Optical Switch factory
Dedicated IC For Slotted Optical Switch best
Dedicated IC For Slotted Optical Switch high quality
Dedicated IC For Slotted Optical Switch price
Dedicated IC For Slotted Optical Switch price
Dedicated IC For Slotted Optical Switch best
IC مخصص للمفتاح البصري المشقوق
الوصف
معلمات التقنية
لماذا هذا IC المخصص للمفتاح البصري المشقوق
هذه الرقائق الأربع مصنوعة للمفاتيح الضوئية ذات الشقوق. تدمج دائرة IC المخصصة للمحول البصري المشقوق برنامج تشغيل الباعث ومضخم جهاز الاستقبال ومحرك الإخراج. ما عليك سوى إضافة مصباح LED بالأشعة تحت الحمراء وترانزستور ضوئي. ثم لديك مفتاح بصري كامل. يتم استخدامه في معدات التشغيل الآلي للمصانع. استخدم أحد عملاء المحول الكهروضوئي EIC10DFN-PI03. من قبل، كانوا يستخدمون مكونات منفصلة. كان ثنائي الفينيل متعدد الكلور كبيرًا. بعد التبديل إلى الدائرة المتكاملة الخاصة بنا، انخفضت مساحة PCB بنسبة 60%. يتمتع IC أيضًا بحماية التيار الزائد. لم يعودوا يقلقون بشأن إخراج الدوائر القصيرة. اختار عميل آخر لستائر الإضاءة الآمنة EIC08DFN-PI06P. يحتوي على مخرج PNP يصل إلى 230 مللي أمبير. يمكنه قيادة مرحل الأمان مباشرة. المنتج يبسط التصميم الخاص بك.
التزامنا بالجودة
نحن نستخدم إدارة 5S في كل خطوة. يتم اختبار كل شريحة بشكل كامل قبل التعبئة. نحن نقدم ضمان لمدة سنة واحدة. لدينا فريق محترف لما بعد البيع. نحن متواجدون 7x24. نعطي الحل في غضون ساعتين. مصنعنا حاصل على شهادة إدارة البيئة (05325E31361ROS). لدينا محطة عمل لمرحلة ما بعد الدكتوراه مع 6 دكتوراه. لدينا 18 براءة اختراع ونعمل مع جامعة فودان وجامعة هانغتشو ديانزي. يتم دعم IC المخصص للمحول البصري المشقوق من خلال البحث والتطوير القوي.
كيفية اختيار النموذج المناسب
EIC10DFN-PI03: حزمة DFN10L. جهد الإمداد 5-36 فولت. الحد الأقصى للإخراج 85 مللي أمبير (NPN). زمن الاستجابة أقل من 10μS. سريع جدًا. حماية التيار الزائد ثابتة عند 85 مللي أمبير. وقت الكشف عن التيار الزائد 250μS. فترة الكشف 32 مللي ثانية. تردد الاستجابة 10 كيلو هرتز. تيار هادئ أقل من 10 مللي أمبير. جيد للتطبيقات عالية السرعة. EIC08DFN-PI05: DFN8-حزمة 3x3. العرض 5-36 فولت. الحد الأقصى للإخراج 160 مللي أمبير (NPN). تيار هادئ نموذجي 8mA. الترانزستور تيار مستمر 4.3-4.7mA. مؤشر LED الحالي 1.2-2.2mA. استقبال تيار مستمر حوالي 145μA. الطاقة 1500 ميجاوات. درجة حرارة التشغيل -30 إلى 70 درجة. جيد للمفاتيح الصناعية العامة. EIC08DFN-PI04: حزمة DFN8-2x3. العرض 5-36 فولت. الحد الأقصى للإخراج 120 مللي أمبير (NPN). يحتوي على صمام ثنائي لحماية القطبية العكسية. تيار هادئ 6-10mA. نطاق التيار المستمر للترانزستور 4.2-7.5 مللي أمبير. استقبال تيار مستمر 220-280μA. جهد تشبع الخرج نموذجي 1.5 فولت عند 100 مللي أمبير. تيار تسرب الإخراج 1μA. تيار الدائرة القصيرة 2.5-6mA. جيد للتطبيقات التي تحتاج إلى حماية عكسية. EIC08DFN-PI06P: مخرج PNP. العرض 4-36 فولت. أقصى إخراج 230 مللي أمبير. تيار هادئ أقل من 8 مللي أمبير. الترانزستور تيار مستمر 4.5-5mA. استقبال تيار مستمر 110μA. يتم تشغيل حماية التيار الزائد على الفور. نقطة الحماية النموذجية 240 مللي أمبير. فترة الكشف 12 مللي ثانية. جهد تشبع الخرج 0.92 فولت عند Vcc=24V. الطاقة 1500 ميجاوات. جيد لإخراج PNP الحالي العالي. المنتج لديه نموذج لكل حاجة.
الأسئلة الشائعة والملخص النهائي
الوسم : IC مخصص للمفاتيح الضوئية ذات فترة زمنية محددة، الصين IC مخصص لمصنعي المفاتيح الضوئية ذات فترة زمنية محددة والموردين والمصنع, مفتاح كهروضوئي صغير الحجم من نوع الفتحة, دائرة متكاملة مخصصة للمفتاح البصري ذي الفتحة, مستشعر المسافة, المكونات الكهروضوئية
الجزء الأول: الوصف الأساسي
|
غرض |
وحدة |
EIC10DFN-PI03 |
EIC08DFN-PI05 |
EIC08DFN-PI04 |
EIC08DFN-PI06P |
|
وظيفة |
-- |
وحدة تحكم التبديل الضوئية المشقوقة، حزمة متكاملة عالية الموثوقية |
أتمتة المصنع NPN مخرج مستشعر الضوء IC، تشغيل الضوء/التعتيم في الأوضاع، حماية ماس كهربائى |
أتمتة المصنع NPN مخرج مستشعر الضوء IC، تشغيل الضوء/التعتيم في الأوضاع، دائرة كهربائية قصيرة + حماية من الجهد العكسي |
أتمتة المصنع PNP مخرج مستشعر الضوء IC، تشغيل الضوء/التعتيم في الأوضاع، حماية ماس كهربائى |
|
طَرد |
-- |
DFN10L |
DFN8-3x3 |
DFN8-2x3 |
DFN8-3x3 |
|
الميزات الأساسية |
-- |
5 ~ 36V الجهد واسعة، والاستجابة<10μS, built in overcurrent protection |
5 ~ 36 فولت، الحد الأقصى للإخراج 160 مللي أمبير، تيار هادئ 8 مللي أمبير |
5 ~ 36 فولت، الحد الأقصى للإخراج 120 مللي أمبير، مدمج في صمام ثنائي للحماية العكسية |
4 ~ 36 فولت، خرج PNP بحد أقصى 230 مللي أمبير، مدمج في حماية التيار الزائد |
الجزء 2: الحد الأقصى المطلق للتقييمات
|
غرض |
وحدة |
EIC10DFN-PI03 |
EIC08DFN-PI05 |
EIC08DFN-PI04 |
EIC08DFN-PI06P |
|
جهد الإمداد VCC/VDD |
V |
5-36 |
5-36 |
5-36 |
4-36 |
|
ماكس الناتج الحالي IOUT |
أماه |
85 (نبن) |
160 |
120 |
230 |
|
تبديد الطاقة PD |
ميغاواط |
-- |
1500 |
-- |
1500 |
|
درجة حرارة التشغيل |
درجة |
-20-+85 |
-30-+70 |
-40-+80 |
-40-+85 |
|
درجة حرارة التخزين Tstg |
درجة |
-65-+120 |
-55-+150 |
-65-+120 |
-65-+120 |
الجزء 3 : الخصائص الكهربائية
|
غرض |
وحدة |
EIC10DFN-PI03 |
EIC08DFN-PI05 |
EIC08DFN-PI04 |
EIC08DFN-PI06P |
|
تيار هادئ ICC/IDD |
أماه |
<10 (no load) |
8 نوع |
6 ~ 10 (بدون تحميل) |
<8 typ |
|
باعث تيار مستمر IIRED/TX |
أماه |
5.15 نوع |
4.3~4.5~4.7 |
4.2~6~7.5 |
4.5~5 |
|
مؤشر LED الحالي ILED |
أماه |
1.3 النوع |
1.2~1.8~2.2 |
2.6~2.8 |
1.4~1.5~1.8 |
|
استقبال IPTR الحالي المستمر |
μA |
-- |
138~145~152 |
220~250~280 |
110 |
|
تردد الاستجابة Fclk |
كيلوهرتز |
10 |
-- |
-- |
-- |
|
وقت الاستجابة تريس |
μS |
<10 |
-- |
-- |
-- |
|
وقت الكشف عن التيار الزائد |
μS |
250 |
-- |
-- |
مباشر |
|
فترة الكشف عن التيار الزائد تكنولوجيا المعلومات |
آنسة |
32 |
-- |
-- |
12 |
|
نقطة حماية التيار الزائد |
أماه |
NPN ثابت 85؛ PNP بواسطة المقاوم |
-- |
-- |
نوع بنب 240 |
|
تشبع الناتج الجهد Vsat |
V |
-- |
-- |
1.5 تايب @ 100 مللي أمبير |
فوس=0.92 (Vcc=24V) |
|
تسرب الإخراج الحالي Ileak |
μA |
-- |
-- |
1 |
-- |
|
إخراج الدائرة القصيرة الحالية Isc |
أماه |
-- |
-- |
2.5~6 |
-- |
زوج من
مستشعر المسافةفي المادة التالية
مجاناًإرسال التحقيق
